Fairchild Semiconductor FDB8443_F085

FDB8443_F085
제조업체 부품 번호
FDB8443_F085
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
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내부 부품 번호EIS-FDB8443_F085
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDB8443_F085
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C25A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.5m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs185nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9310pF @ 25V
전력 - 최대188W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263AB
표준 포장 800
다른 이름FDB8443_F085TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDB8443_F085
관련 링크FDB8443, FDB8443_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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18.432MHz ±30ppm 수정 13pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 405C35B18M43200.pdf
OSC XO 3.3V 66MHZ ST SIT8208AC-83-33S-66.000000Y.pdf
RES SMD 180 OHM 5% 1W 2615 SM2615JT180R.pdf
RES SMD 6K OHM 0.5% 0.3W 1206 Y16256K00000D9W.pdf
XRT94L43IBCWE EXAR SMD or Through Hole XRT94L43IBCWE.pdf
SC509497CFNR2 MOT PLCC-52 SC509497CFNR2.pdf
AJT ORIGINAL 3SC-70 AJT.pdf
155DYG-11 HARVATEK 1210 155DYG-11.pdf
B82131A5401M000 EPCOS axial B82131A5401M000.pdf
15060060 Molex SMD or Through Hole 15060060.pdf
AS7C1026-10TI ALLIANCE TSOP AS7C1026-10TI.pdf