창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB8443 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB8443 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB8443TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB8443 | |
| 관련 링크 | FDB8, FDB8443 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 06033A1R5DAT2A | 1.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A1R5DAT2A.pdf | |
![]() | LC150A | TVS DIODE 150VWM 243VC DO202AA | LC150A.pdf | |
![]() | 445A25H24M00000 | 24MHz ±20ppm 수정 32pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25H24M00000.pdf | |
![]() | TCMS-B1KL(35V/1.5UF/B) | TCMS-B1KL(35V/1.5UF/B) TOWA B | TCMS-B1KL(35V/1.5UF/B).pdf | |
![]() | THS4225DGKR | THS4225DGKR TI MSOP-8 | THS4225DGKR.pdf | |
![]() | QS3384QAC | QS3384QAC Q SOP24 | QS3384QAC.pdf | |
![]() | ESI-5R1.960G | ESI-5R1.960G HITACHI SMD or Through Hole | ESI-5R1.960G.pdf | |
![]() | 429-7202-RC | 429-7202-RC DIODES SMD or Through Hole | 429-7202-RC.pdf | |
![]() | R20T-68J510 | R20T-68J510 ROHM SMD or Through Hole | R20T-68J510.pdf | |
![]() | CF72220AI | CF72220AI ORIGINAL PLCC | CF72220AI.pdf | |
![]() | 1B068-53A2VE | 1B068-53A2VE M SMD or Through Hole | 1B068-53A2VE.pdf | |
![]() | XPC860MHP50C1 | XPC860MHP50C1 MOTOROLA BGA | XPC860MHP50C1.pdf |