창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB8443 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB8443 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB8443TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB8443 | |
| 관련 링크 | FDB8, FDB8443 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BK/MDL-2-1/4 | FUSE GLASS 2.25A 250VAC 3AB 3AG | BK/MDL-2-1/4.pdf | |
![]() | SG-210SEB 40.0000MB3 | 40MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 1.6mA Standby (Power Down) | SG-210SEB 40.0000MB3.pdf | |
| PLY17BN3721R0B2B | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 440 Ohm | PLY17BN3721R0B2B.pdf | ||
![]() | W3F15C4728AT1A | 4700pF Feed Through Capacitor 50V 300mA 600 mOhm 1206 (3216 Metric), 4 PC Pad | W3F15C4728AT1A.pdf | |
![]() | TY90009C00B0GG | TY90009C00B0GG TOSHIBA BGA | TY90009C00B0GG.pdf | |
![]() | Z86C4316PSCR3807 | Z86C4316PSCR3807 ORIGINAL DIP | Z86C4316PSCR3807.pdf | |
![]() | PCN10-20P-2.54DSA(72) | PCN10-20P-2.54DSA(72) HIROSE SMD or Through Hole | PCN10-20P-2.54DSA(72).pdf | |
![]() | H27UBG8H5M | H27UBG8H5M Hynix TSOP | H27UBG8H5M.pdf | |
![]() | PC28F512M29EWLA | PC28F512M29EWLA Numonyx SMD or Through Hole | PC28F512M29EWLA.pdf | |
![]() | S21ME9 | S21ME9 SHARP DIP-6 | S21ME9.pdf | |
![]() | LH0101MK | LH0101MK NS CAN 8 | LH0101MK.pdf |