- FDB80N06
- 제조업체 부품 번호
- FDB80N06
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 3
- 간단한 설명
- FDB80N06 ORIGINAL TO-263
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FDB80N06 가격 및 조달
가능 수량
49270 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FDB80N06 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. FDB80N06 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDB80N06가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FDB80N06 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDB80N06 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB80N06 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | FDB80N06 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-263 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | FDB80N06 | |
| 관련 링크 | FDB8, FDB80N06 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
FDB80N06 의 관련 제품
 | RLF10160T-470M1R5-D | 47µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 111.6 mOhm Max Nonstandard | RLF10160T-470M1R5-D.pdf | |
| CAT5113SI-50V | CAT5113SI-50V CATALYST SOIC8 | CAT5113SI-50V.pdf | |
| DT28F016SV80-5.0 | DT28F016SV80-5.0 INTEL QFP | DT28F016SV80-5.0.pdf | |
| E3X-DRT21-S | E3X-DRT21-S OMRON DIP | E3X-DRT21-S.pdf | |
| PR02000302203JA100 | PR02000302203JA100 VISHAY-PEMCO SMD or Through Hole | PR02000302203JA100.pdf | |
| G6AK-274P-STLT-US-5VDC | G6AK-274P-STLT-US-5VDC ORIGINAL 10DIP | G6AK-274P-STLT-US-5VDC.pdf | |
| MN3209 | MN3209 PAN DIP8 | MN3209.pdf | |
| 0805 153 K 50V | 0805 153 K 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805 153 K 50V.pdf | |
| QSMQAOSMB011 | QSMQAOSMB011 FEVSY DIP42 | QSMQAOSMB011.pdf | |
| CL31F224ZBCNNN | CL31F224ZBCNNN SAMSUNG SMD | CL31F224ZBCNNN.pdf | |
| ISL22326WFV14Z-TK | ISL22326WFV14Z-TK INTERSIL SMD | ISL22326WFV14Z-TK.pdf | |
| YG802C6 | YG802C6 ORIGINAL TO220 | YG802C6.pdf |