창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB3502 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB3502 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta), 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 815pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB3502TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB3502 | |
관련 링크 | FDB3, FDB3502 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
450LMT | FUSE CRTRDGE 450A 240VAC/150VDC | 450LMT.pdf | ||
ASVMPC-33.333MHZ-LR-T | 33.333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASVMPC-33.333MHZ-LR-T.pdf | ||
3PGT-S | 3PGT-S BIVAR DIP | 3PGT-S.pdf | ||
84553-001 | 84553-001 FCI BGA-300PIN | 84553-001.pdf | ||
EGS477M1AF12TCSA | EGS477M1AF12TCSA SAMXON SMD or Through Hole | EGS477M1AF12TCSA.pdf | ||
NJM2571AF1-TE1 | NJM2571AF1-TE1 JRC SMD or Through Hole | NJM2571AF1-TE1.pdf | ||
LTUR | LTUR LT SMD or Through Hole | LTUR.pdf | ||
TCSCS0J107KCAR | TCSCS0J107KCAR SAMSUNG C(6032-25) | TCSCS0J107KCAR.pdf | ||
LTYP TEL:82766440 | LTYP TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LTYP TEL:82766440.pdf | ||
24LC21CBW | 24LC21CBW MIC DIP-8 | 24LC21CBW.pdf | ||
K4S561632J-UC/L75 RoHS | K4S561632J-UC/L75 RoHS SAMSUNG TSOP-54 | K4S561632J-UC/L75 RoHS.pdf | ||
MMBT4401LT1 SOT-23 | MMBT4401LT1 SOT-23 CJ SMD or Through Hole | MMBT4401LT1 SOT-23.pdf |