창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB2572 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB2572 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta), 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB2572-ND FDB2572TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB2572 | |
관련 링크 | FDB2, FDB2572 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D130MXBAP | 13pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D130MXBAP.pdf | |
![]() | SCRH105-220 | 22µH Shielded Inductor 2.1A 125 mOhm Max Nonstandard | SCRH105-220.pdf | |
![]() | 0819R-70J | 82µH Unshielded Molded Inductor 54.5mA 16 Ohm Max Axial | 0819R-70J.pdf | |
![]() | RG3216V-4320-P-T1 | RES SMD 432 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-4320-P-T1.pdf | |
![]() | YR1B19R1CC | RES 19.1 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B19R1CC.pdf | |
![]() | GMS80C501-G175 | GMS80C501-G175 LGS DIP | GMS80C501-G175.pdf | |
![]() | 5.5X1.7 | 5.5X1.7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5.5X1.7.pdf | |
![]() | EPF10K100ABC356-1S | EPF10K100ABC356-1S ALTERA BGA | EPF10K100ABC356-1S.pdf | |
![]() | R4558M | R4558M RAY SMD or Through Hole | R4558M.pdf | |
![]() | R6645-27 | R6645-27 SN PLCC | R6645-27.pdf | |
![]() | UC2252 | UC2252 Uniden TQFP | UC2252.pdf | |
![]() | DD104-63SL100D50 | DD104-63SL100D50 MURATA SMD or Through Hole | DD104-63SL100D50.pdf |