창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB120N10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB120N10 | |
| PCN 설계/사양 | SOA curve 01/Jul/2013 Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 74A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 74A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5605pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB120N10TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB120N10 | |
| 관련 링크 | FDB12, FDB120N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SZMG2040MUTAG | TVS DIODE 5VWM 10VC | SZMG2040MUTAG.pdf | |
![]() | FXO-PC730R-100 | 100MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FXO-PC730R-100.pdf | |
![]() | RG2012N-7680-W-T5 | RES SMD 768 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-7680-W-T5.pdf | |
![]() | CXD9877M | CXD9877M SONY SOP20 | CXD9877M.pdf | |
![]() | 0805 102K 100V-250V-500V | 0805 102K 100V-250V-500V YAGEO SMD or Through Hole | 0805 102K 100V-250V-500V.pdf | |
![]() | RN2701 / YA | RN2701 / YA TOSHIBA SOT-353 | RN2701 / YA.pdf | |
![]() | AD9231-40EBZ | AD9231-40EBZ AD SMD or Through Hole | AD9231-40EBZ.pdf | |
![]() | ECKATS332M | ECKATS332M ORIGINAL SMD or Through Hole | ECKATS332M.pdf | |
![]() | APT20GP120 | APT20GP120 APT TO-247 | APT20GP120.pdf | |
![]() | 2SB709 BS. | 2SB709 BS. GC SOT-89 | 2SB709 BS..pdf | |
![]() | RT8025-13GJ5 | RT8025-13GJ5 RICHTEK SMD or Through Hole | RT8025-13GJ5.pdf |