창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB045AN08A0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB045AN08A0 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 138nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB045AN08A0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB045AN08A0 | |
관련 링크 | FDB045A, FDB045AN08A0 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
R52K10B | R52K10B IR SMD or Through Hole | R52K10B.pdf | ||
27-3435-00-23 | 27-3435-00-23 VTECH PLCC84 | 27-3435-00-23.pdf | ||
LA712062K | LA712062K SANYO QFP80 | LA712062K.pdf | ||
FV30L57-16SC | FV30L57-16SC FVT SOP | FV30L57-16SC.pdf | ||
MIC29712 | MIC29712 MIC TO-220 -5P | MIC29712.pdf | ||
REG7500PL/SL69U | REG7500PL/SL69U INTER FCBGA | REG7500PL/SL69U.pdf | ||
C5-K-100 | C5-K-100 MITSUMI 5D | C5-K-100.pdf | ||
POL-12017R | POL-12017R PMI SMD or Through Hole | POL-12017R.pdf | ||
MLV-1608-N-5R6-A-N | MLV-1608-N-5R6-A-N YAGEO SMD or Through Hole | MLV-1608-N-5R6-A-N.pdf | ||
851551 | 851551 Triquint SMD or Through Hole | 851551.pdf |