창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB035N10A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB035N10A | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 116nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7295pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 333W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB035N10A-ND FDB035N10ATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB035N10A | |
관련 링크 | FDB035, FDB035N10A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
ERJ-S14F1501U | RES SMD 1.5K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F1501U.pdf | ||
RG3216P-1500-B-T5 | RES SMD 150 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1500-B-T5.pdf | ||
EM78P156ELN-G | EM78P156ELN-G EMC 7.2mm-18 | EM78P156ELN-G.pdf | ||
BD8900F | BD8900F ROHM SOP28 | BD8900F.pdf | ||
SPI-315-044 | SPI-315-044 ORIGINAL SMD or Through Hole | SPI-315-044.pdf | ||
ISL8487EB | ISL8487EB INTERSIL SOP8 | ISL8487EB.pdf | ||
MB91151APMT2-G-BND | MB91151APMT2-G-BND FUJITSU QFP144 | MB91151APMT2-G-BND.pdf | ||
RD48F4400P0VTQ0A | RD48F4400P0VTQ0A MICRON BGA-88 | RD48F4400P0VTQ0A.pdf | ||
YR10100 | YR10100 PHILIPS TO-220 | YR10100.pdf | ||
R6673-11--RFX96V12. | R6673-11--RFX96V12. ROCKWELL QFP | R6673-11--RFX96V12..pdf | ||
SM39R16A2W20NP | SM39R16A2W20NP SYNCMOS DIP-20 | SM39R16A2W20NP.pdf | ||
MAX3991UTG | MAX3991UTG MAXIM QFN | MAX3991UTG.pdf |