창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB0250N807L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB0250N807L Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics PowerTrench MOSFET Datasheet Expanation FRFET in Synchronous Rectification AN-9005 Application Note Power MOSFET Avalanche Guideline | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FDB0250N807L Material Declaration FDB0250N807L Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15400pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB0250N807LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB0250N807L | |
관련 링크 | FDB0250, FDB0250N807L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | ON3035E-R58 | RES 30K OHM 2W 5% AXIAL | ON3035E-R58.pdf | |
![]() | R2B-50V220MF3 | R2B-50V220MF3 ELNA DIP-2 | R2B-50V220MF3.pdf | |
![]() | 1206/475K/25V | 1206/475K/25V SAMSUNG SMD or Through Hole | 1206/475K/25V.pdf | |
![]() | STP4NK90FI | STP4NK90FI ST TO-220F | STP4NK90FI.pdf | |
![]() | NC7SZ04M5X**CN | NC7SZ04M5X**CN FSC SMD or Through Hole | NC7SZ04M5X**CN.pdf | |
![]() | LT1171CQ-TR | LT1171CQ-TR LT SMD or Through Hole | LT1171CQ-TR.pdf | |
![]() | UMB7 | UMB7 Rhm SOT-363 | UMB7.pdf |