창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDA16N50_F109 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDA16N50(_F109) | |
| PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1945pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 205W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDA16N50_F109 | |
| 관련 링크 | FDA16N5, FDA16N50_F109 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 310000451505 | HERMETIC THERMOSTAT | 310000451505.pdf | |
![]() | 88CS38N-1N27 | 88CS38N-1N27 HAIER DIP | 88CS38N-1N27.pdf | |
![]() | 0109505C10 | 0109505C10 ITT SMD or Through Hole | 0109505C10.pdf | |
![]() | UPD784060GCA-E18-3B9-C | UPD784060GCA-E18-3B9-C NEC QFP | UPD784060GCA-E18-3B9-C.pdf | |
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![]() | NX5032GA33.330MHZ | NX5032GA33.330MHZ NIHON 1812 | NX5032GA33.330MHZ.pdf | |
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![]() | SI3033LU | SI3033LU Sanken N A | SI3033LU.pdf | |
![]() | COMP-B3-6 | COMP-B3-6 TOYOCOM SIP18 | COMP-B3-6.pdf |