창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF11N60F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCPF11N60F | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF11N60F | |
| 관련 링크 | FCPF11, FCPF11N60F 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GBPC1202 | RECT BRIDGE GPP 12A 200V GBPC | GBPC1202.pdf | |
![]() | AC2512JK-07180RL | RES SMD 180 OHM 5% 1W 2512 | AC2512JK-07180RL.pdf | |
![]() | CMF605R6000FKR6 | RES 5.6 OHM 1W 1% AXIAL | CMF605R6000FKR6.pdf | |
![]() | PQ20VBZE | PQ20VBZE ORIGINAL TO-220F-4 | PQ20VBZE.pdf | |
![]() | ZA3CS-450-9W-S | ZA3CS-450-9W-S ORIGINAL NA | ZA3CS-450-9W-S.pdf | |
![]() | HL0311SA | HL0311SA ASIC SOP16 | HL0311SA.pdf | |
![]() | MO2CT741A331J | MO2CT741A331J KOA Call | MO2CT741A331J.pdf | |
![]() | LQN2A56NK04M | LQN2A56NK04M MURATA SMD or Through Hole | LQN2A56NK04M.pdf | |
![]() | B5H87 | B5H87 N/A SOP | B5H87.pdf | |
![]() | F-65NM-150H | F-65NM-150H FUSIT SMD or Through Hole | F-65NM-150H.pdf | |
![]() | ECKR1H332KB5 | ECKR1H332KB5 PANASONIC DIP | ECKR1H332KB5.pdf | |
![]() | M471B5273DH0-YH9 | M471B5273DH0-YH9 SamsungOrig SMD or Through Hole | M471B5273DH0-YH9.pdf |