창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCP13N60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP13N60N/FCPF13N60NT TO220B03 Pkg Drawing | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SupreMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 258m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1765pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 116W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FCP13N60N-ND FCP13N60NFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCP13N60N | |
| 관련 링크 | FCP13, FCP13N60N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BFC247962273 | 0.027µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.256" W (12.50mm x 6.50mm) | BFC247962273.pdf | |
![]() | XRCGB30M000F3M00R0 | 30MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB30M000F3M00R0.pdf | |
![]() | RCP1206B130RJS3 | RES SMD 130 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B130RJS3.pdf | |
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![]() | ATF22V10CZ-15JC | ATF22V10CZ-15JC ATMEL SMD or Through Hole | ATF22V10CZ-15JC.pdf | |
![]() | NG82385SX-20 | NG82385SX-20 INTEL QFP | NG82385SX-20.pdf | |
![]() | MAX809S(2.93V) | MAX809S(2.93V) MAXIM SOT-23.. | MAX809S(2.93V).pdf | |
![]() | DS1816-20TR | DS1816-20TR TI SOT23 | DS1816-20TR.pdf | |
![]() | PC87427-IBV/VLA | PC87427-IBV/VLA NS QFP | PC87427-IBV/VLA.pdf | |
![]() | FQI6N45 | FQI6N45 ORIGINAL SMD or Through Hole | FQI6N45.pdf | |
![]() | SMZJ3789A-E3/5B | SMZJ3789A-E3/5B VISHAY DO-214AA(SMB) | SMZJ3789A-E3/5B.pdf | |
![]() | DAC081S101 | DAC081S101 ORIGINAL SOT-363 | DAC081S101.pdf |