창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCP13N60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP13N60N/FCPF13N60NT TO220B03 Pkg Drawing | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SupreMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 258m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1765pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 116W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FCP13N60N-ND FCP13N60NFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCP13N60N | |
| 관련 링크 | FCP13, FCP13N60N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW060382K5FKEA | RES SMD 82.5K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060382K5FKEA.pdf | |
![]() | RN73C2A56K2BTD | RES SMD 56.2KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A56K2BTD.pdf | |
![]() | 5-7X1W | 5-7X1W ABT SMD or Through Hole | 5-7X1W.pdf | |
![]() | CNX83A300 | CNX83A300 Fairchi SOP.DIP | CNX83A300.pdf | |
![]() | M5-128/104-10YC12Y1 | M5-128/104-10YC12Y1 LATTICE SMD or Through Hole | M5-128/104-10YC12Y1.pdf | |
![]() | 3YE11 | 3YE11 ORIGINAL BGA | 3YE11.pdf | |
![]() | PC814XI1 | PC814XI1 SHARP/ SMD or Through Hole | PC814XI1.pdf | |
![]() | SN55157JG | SN55157JG TI CDIP8 | SN55157JG.pdf | |
![]() | MB10S-R | MB10S-R ORIGINAL MD-S | MB10S-R.pdf | |
![]() | 97-22-20S | 97-22-20S Amphenol SMD or Through Hole | 97-22-20S.pdf | |
![]() | LF358H/883 | LF358H/883 NS CAN | LF358H/883.pdf | |
![]() | M29W320DT90N6 | M29W320DT90N6 ST TSOP48 | M29W320DT90N6.pdf |