창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCD900N60Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCD900N60Z | |
| 주요제품 | SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs Cloud Systems Computing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET® II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 2.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 720pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FCD900N60ZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCD900N60Z | |
| 관련 링크 | FCD900, FCD900N60Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BT150800R | BT150800R ORIGINAL TO220 | BT150800R.pdf | |
![]() | SST29EE020-90-4C-NH | SST29EE020-90-4C-NH SST SOP | SST29EE020-90-4C-NH.pdf | |
![]() | 609000000000000 | 609000000000000 AVX 9176Series2Way1 | 609000000000000.pdf | |
![]() | CF37402N | CF37402N ALPS DIP-28 | CF37402N.pdf | |
![]() | GDZ20B-V | GDZ20B-V VISHAY SOD-80 | GDZ20B-V.pdf | |
![]() | K3944 | K3944 TOSHOBA TO-220F | K3944.pdf | |
![]() | A2175HBL .TC.GN | A2175HBL .TC.GN SUNON SMD or Through Hole | A2175HBL .TC.GN.pdf | |
![]() | 580-LA | 580-LA FCI SOT323 | 580-LA.pdf | |
![]() | C3225X6SOJ476MT | C3225X6SOJ476MT TDK SMD | C3225X6SOJ476MT.pdf | |
![]() | S29Z430A | S29Z430A ORIGINAL SMD or Through Hole | S29Z430A.pdf | |
![]() | NMCB1C106MTRF | NMCB1C106MTRF HITACHI SMD | NMCB1C106MTRF.pdf | |
![]() | SN082AA2IPGEG4 | SN082AA2IPGEG4 TI BGA | SN082AA2IPGEG4.pdf |