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Fairchild Semiconductor FCD2250N80Z

FCD2250N80Z
제조업체 부품 번호
FCD2250N80Z
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
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내부 부품 번호EIS-FCD2250N80Z
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FCD2250N80Z
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열SuperFET® II
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.6A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.25옴 @ 1.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 260µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds585pF @ 100V
전력 - 최대39W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,500
다른 이름FCD2250N80ZTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FCD2250N80Z
관련 링크FCD225, FCD2250N80Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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