창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCC-A-C8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | FCC-A-C8 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | FCC-A-C8 | |
| 관련 링크 | FCC-, FCC-A-C8 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CGA4J3X8R2A473M125AB | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3X8R2A473M125AB.pdf | |
![]() | 416F27112CDR | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27112CDR.pdf | |
![]() | RN1116(TE85L,F) | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | RN1116(TE85L,F).pdf | |
![]() | AQS225R2SZ | PHOTOMOS(MOS FET) RELAY (LOW CXR | AQS225R2SZ.pdf | |
![]() | MAX233AEWP+G36 | MAX233AEWP+G36 Maxim NA | MAX233AEWP+G36.pdf | |
![]() | 74CBT3306PWR | 74CBT3306PWR TI SMD or Through Hole | 74CBT3306PWR.pdf | |
![]() | COJ101MAEANG | COJ101MAEANG SANYO 100UF6.3VD | COJ101MAEANG.pdf | |
![]() | PRA6N-2R6ZJ | PRA6N-2R6ZJ SHIRP SMD or Through Hole | PRA6N-2R6ZJ.pdf | |
![]() | RB-0305D | RB-0305D RECOM SMD or Through Hole | RB-0305D.pdf | |
![]() | AM685HMBQ | AM685HMBQ AD CAN | AM685HMBQ.pdf | |
![]() | IPA60R299 | IPA60R299 INFINEON TO-220 | IPA60R299.pdf | |
![]() | GPM6P1129A-QL011 | GPM6P1129A-QL011 GENERALPL QFP | GPM6P1129A-QL011.pdf |