창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCB20N60F_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCB20N60F_F085 | |
PCN 설계/사양 | Qrr Unit Update 24/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, SuperFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 195m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 102nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2035pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 405W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FCB20N60F_F085TR FCB20N60FF085 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCB20N60F_F085 | |
관련 링크 | FCB20N60, FCB20N60F_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | RGC0805FTC59K0 | RES SMD 59K OHM 1% 1/8W 0805 | RGC0805FTC59K0.pdf | |
![]() | RT0603WRC0728RL | RES SMD 28 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRC0728RL.pdf | |
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![]() | FDD6670A. | FDD6670A. FAIRCHILD SOT252 | FDD6670A..pdf | |
![]() | 74AS244NSR | 74AS244NSR TI SMD or Through Hole | 74AS244NSR.pdf | |
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![]() | BUW24 | BUW24 SGS SMD or Through Hole | BUW24.pdf | |
![]() | SDA9589XGEG | SDA9589XGEG infineon SOP-28 | SDA9589XGEG.pdf | |
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![]() | 74LV04PW | 74LV04PW NXP TSSOP14 | 74LV04PW.pdf | |
![]() | FAR-D5GD-942M50-D1DF-Z | FAR-D5GD-942M50-D1DF-Z FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-D5GD-942M50-D1DF-Z.pdf |