창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCB070N65S3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCB070N65S3 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 FCB0 19/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4.4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3090pF @ 400V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FCB070N65S3-ND FCB070N65S3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCB070N65S3 | |
관련 링크 | FCB070, FCB070N65S3 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | ATV50C220J-HF | TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB | ATV50C220J-HF.pdf | |
![]() | FA-238V 13.5600MF20V-AC3 | 13.56MHz ±10ppm 수정 9pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 13.5600MF20V-AC3.pdf | |
![]() | MCR03EZPFX4301 | RES SMD 4.3K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX4301.pdf | |
![]() | RG1608N-9762-B-T5 | RES SMD 97.6KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-9762-B-T5.pdf | |
![]() | HDM14JT3K60 | RES 3.6K OHM 1/4W 5% AXIAL | HDM14JT3K60.pdf | |
![]() | B88069-X780-S102 | B88069-X780-S102 EPCS SMD or Through Hole | B88069-X780-S102.pdf | |
![]() | CBB81 153J1600V21R | CBB81 153J1600V21R HY DIP | CBB81 153J1600V21R.pdf | |
![]() | 2SB1228-USK | 2SB1228-USK ORIGINAL TO-220 | 2SB1228-USK.pdf | |
![]() | MC68332AMFC25 | MC68332AMFC25 Freescale 132-PQFP | MC68332AMFC25.pdf | |
![]() | 16WXA470M8X9 | 16WXA470M8X9 RUBYCON DIP | 16WXA470M8X9.pdf | |
![]() | Z-S4218-0 | Z-S4218-0 SEOUL ROHS | Z-S4218-0.pdf |