창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCA20N60F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCA20N60F | |
| PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCA20N60F | |
| 관련 링크 | FCA20, FCA20N60F 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | ABM2-27.000MHZ-D4Y-T | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM2-27.000MHZ-D4Y-T.pdf | |
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![]() | UDZVTE-17 24B | UDZVTE-17 24B ROHM SOD323 | UDZVTE-17 24B.pdf | |
![]() | AME78L12AJATZ | AME78L12AJATZ AME T0-92 | AME78L12AJATZ.pdf | |
![]() | SC656D | SC656D GE TO-48 | SC656D.pdf | |
![]() | BLM31AJ601SN1 | BLM31AJ601SN1 murata SMD or Through Hole | BLM31AJ601SN1.pdf | |
![]() | 202-5222 DCMCE1586 | 202-5222 DCMCE1586 nippon SMD or Through Hole | 202-5222 DCMCE1586.pdf | |
![]() | TD1120-B33A-0 | TD1120-B33A-0 RAY SMD | TD1120-B33A-0.pdf | |
![]() | C1608COG1H620T | C1608COG1H620T TDK SMD or Through Hole | C1608COG1H620T.pdf | |
![]() | Q3236I-16NP. | Q3236I-16NP. QUALCOMM PLCC-44 | Q3236I-16NP..pdf |