창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-F2E50VX3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | F2E50VX3 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | F2E50VX3 | |
| 관련 링크 | F2E5, F2E50VX3 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-120-20-5PX-TR | 12MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-120-20-5PX-TR.pdf | |
![]() | 416F32023CTT | 32MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32023CTT.pdf | |
![]() | ASEMPC-66.660MHZ-R-T | 66.66MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASEMPC-66.660MHZ-R-T.pdf | |
![]() | CRGH2512J8R2 | RES SMD 8.2 OHM 5% 2W 2512 | CRGH2512J8R2.pdf | |
![]() | W2003 AR2001 LFB | W2003 AR2001 LFB AT LFBGA-180 | W2003 AR2001 LFB.pdf | |
![]() | SL21C152JBNE | SL21C152JBNE SAMSUNG SMD or Through Hole | SL21C152JBNE.pdf | |
![]() | XCS30RQ208 | XCS30RQ208 XILINX QFP | XCS30RQ208.pdf | |
![]() | M8812 | M8812 NSC DIP-8 | M8812.pdf | |
![]() | BP5876 | BP5876 ROHM SMD or Through Hole | BP5876.pdf | |
![]() | 54LS158J | 54LS158J TI CDIP16 | 54LS158J.pdf | |
![]() | AM29F080B90-EC | AM29F080B90-EC AMD SMD or Through Hole | AM29F080B90-EC.pdf | |
![]() | DBM17W2S500CN | DBM17W2S500CN Hitachi SMD or Through Hole | DBM17W2S500CN.pdf |