창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EVM7JSX30B13-1K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EVM7JSX30B13-1K | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EVM7JSX30B13-1K | |
| 관련 링크 | EVM7JSX30, EVM7JSX30B13-1K 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40611CLT | 40.61MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40611CLT.pdf | |
| 784774222 | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 410mA 1.57 Ohm Max Nonstandard | 784774222.pdf | ||
![]() | LBC2016T6R8M | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 590 mOhm 0806 (2016 Metric) | LBC2016T6R8M.pdf | |
![]() | CPR03R2000JE14 | RES 0.2 OHM 3W 5% RADIAL | CPR03R2000JE14.pdf | |
![]() | 2687 | FONA 3G CELLULAR BREAKOUT - AMER | 2687.pdf | |
![]() | M-L-APP3352E2S-1B1 | M-L-APP3352E2S-1B1 LSI BGA | M-L-APP3352E2S-1B1.pdf | |
![]() | YCM1012V4SF-900T04 | YCM1012V4SF-900T04 yosonic 0805X2 | YCM1012V4SF-900T04.pdf | |
![]() | T72L1D164-05 | T72L1D164-05 P&B SMD or Through Hole | T72L1D164-05.pdf | |
![]() | ADT13 | ADT13 AD TSOP8 | ADT13.pdf | |
![]() | 74LV125PW,112 | 74LV125PW,112 NXP SMD or Through Hole | 74LV125PW,112.pdf | |
![]() | 1488539-1 | 1488539-1 Tyco con | 1488539-1.pdf | |
![]() | SP2008HN | SP2008HN ORIGINAL QFN40 | SP2008HN.pdf |