창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-EVM3ESX50B243 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | EVM3ESX50B243 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | EVM3ESX50B243 | |
관련 링크 | EVM3ESX, EVM3ESX50B243 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
GRM1555C1E3R6BZ01D | 3.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E3R6BZ01D.pdf | ||
416F32033ALR | 32MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033ALR.pdf | ||
SIT8918BA-18-33E-26.000000D | OSC XO 3.3V 26MHZ OE | SIT8918BA-18-33E-26.000000D.pdf | ||
RG1608V-1021-W-T1 | RES SMD 1.02K OHM 1/10W 0603 | RG1608V-1021-W-T1.pdf | ||
RT1206WRC0717R4L | RES SMD 17.4 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC0717R4L.pdf | ||
T239003S18 | T239003S18 CMD SMD or Through Hole | T239003S18.pdf | ||
C3216Y5V1C226ZT | C3216Y5V1C226ZT TDK SMD or Through Hole | C3216Y5V1C226ZT.pdf | ||
IA1215D | IA1215D XP DIP | IA1215D.pdf | ||
S3F9454852SK74 | S3F9454852SK74 SAMSUNG SOP | S3F9454852SK74.pdf | ||
K7A80660B-QC14 | K7A80660B-QC14 SAMSUNG QFP100 | K7A80660B-QC14.pdf | ||
CI1608A1N0ST | CI1608A1N0ST HKT SMD or Through Hole | CI1608A1N0ST.pdf | ||
TPS2399DR | TPS2399DR TI-BB SOIC14 | TPS2399DR.pdf |