창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EVDN430MYI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EVDN430MYI | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-247TO-268SOT- | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EVDN430MYI | |
| 관련 링크 | EVDN43, EVDN430MYI 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R9BLCAP | 1.9pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R9BLCAP.pdf | |
![]() | FDS86267P | MOSFET P-CH 150V | FDS86267P.pdf | |
![]() | CDRH10D68RT125NP-1R5NC | 1.5µH Shielded Inductor 10.5A 6.1 mOhm Max Nonstandard | CDRH10D68RT125NP-1R5NC.pdf | |
![]() | IMC1210BNR15J | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 548mA 250 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BNR15J.pdf | |
![]() | 7MBR150VZ060-50 | 7MBR150VZ060-50 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR150VZ060-50.pdf | |
![]() | HY29F4000BG-90R | HY29F4000BG-90R ORIGINAL SMD or Through Hole | HY29F4000BG-90R.pdf | |
![]() | SWI1008FT100J-KI | SWI1008FT100J-KI AOBA SMD | SWI1008FT100J-KI.pdf | |
![]() | B9C28BB | B9C28BB GEESIS SMD or Through Hole | B9C28BB.pdf | |
![]() | 88QT | 88QT N/A SMD or Through Hole | 88QT.pdf | |
![]() | D332K43Y5PN6UJ5 | D332K43Y5PN6UJ5 VISHAY SMD or Through Hole | D332K43Y5PN6UJ5.pdf | |
![]() | 2SK2003-01M(MR) | 2SK2003-01M(MR) FUJI TO-220 | 2SK2003-01M(MR).pdf | |
![]() | XC141554 | XC141554 MOTOROLA SOP | XC141554.pdf |