창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESR25JZPJ9R1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ESR Series Datasheet | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | ESR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 9.1 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 펄스 응력 | |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1210 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | RHM9.1AXTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ESR25JZPJ9R1 | |
| 관련 링크 | ESR25JZ, ESR25JZPJ9R1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM3195C1H122JA01D | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3195C1H122JA01D.pdf | |
![]() | C901U330JVSDAAWL40 | 33pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U330JVSDAAWL40.pdf | |
![]() | BAV21W-HE3-18 | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 | BAV21W-HE3-18.pdf | |
![]() | DS87C550-QCL | DS87C550-QCL DALLAS/MAXIM PLCC68 | DS87C550-QCL.pdf | |
![]() | 10321021 | 10321021 MOLEX SMD or Through Hole | 10321021.pdf | |
![]() | DSX221G-26.0MHZ | DSX221G-26.0MHZ ORIGINAL 26000KHZ | DSX221G-26.0MHZ.pdf | |
![]() | FTRJ1319P1BTL-B1 | FTRJ1319P1BTL-B1 Finisar Box | FTRJ1319P1BTL-B1.pdf | |
![]() | SIR-127-220M | SIR-127-220M ORIGINAL SMD | SIR-127-220M.pdf | |
![]() | D30M12-05290508C2BM | D30M12-05290508C2BM EMISTOP SMD | D30M12-05290508C2BM.pdf | |
![]() | S3/P3/R3(200A) | S3/P3/R3(200A) LEM SMD or Through Hole | S3/P3/R3(200A).pdf | |
![]() | TEMSVB1D475M | TEMSVB1D475M NEC SMD or Through Hole | TEMSVB1D475M.pdf | |
![]() | MC7806CD2TR4G | MC7806CD2TR4G ON TO-263 | MC7806CD2TR4G.pdf |