창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESR10EZPF4300 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ESR Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Resistor Products Overview | |
| 주요제품 | ROHM Chip Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2228 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | ESR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 430 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.4W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 펄스 응력 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0805 | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | RHM430AETR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ESR10EZPF4300 | |
| 관련 링크 | ESR10EZ, ESR10EZPF4300 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D120FXPAP | 12pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120FXPAP.pdf | |
![]() | 416F24022CDR | 24MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24022CDR.pdf | |
![]() | VS-VSKE320-08PBF | DIODE GEN 800V 320A MAGNAPAK | VS-VSKE320-08PBF.pdf | |
![]() | RC1206FR-07182RL | RES SMD 182 OHM 1% 1/4W 1206 | RC1206FR-07182RL.pdf | |
![]() | 330UF 50V 10X16 | 330UF 50V 10X16 ORIGINAL SMD or Through Hole | 330UF 50V 10X16.pdf | |
![]() | DSH15 | DSH15 SANYO SOT-323 | DSH15.pdf | |
![]() | SP481REN/TR | SP481REN/TR SIPEX SOP8 | SP481REN/TR.pdf | |
![]() | HFD5N50S | HFD5N50S SEMIHOW SMD or Through Hole | HFD5N50S.pdf | |
![]() | C300581-001 | C300581-001 ATARI PLCC | C300581-001.pdf | |
![]() | LC32V4265TL-25SH-TLM | LC32V4265TL-25SH-TLM SANYO SOP | LC32V4265TL-25SH-TLM.pdf | |
![]() | FFPF10F15STU | FFPF10F15STU FAIRCHILD TO-220F | FFPF10F15STU.pdf | |
![]() | 2SA1314/NY | 2SA1314/NY CHANGHAO SMD or Through Hole | 2SA1314/NY.pdf |