창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V20D680 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V20D680 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 61V | |
배리스터 전압(통상) | 68V | |
배리스터 전압(최대) | 75V | |
전류 - 서지 | 3kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 40VAC | |
최대 DC 전압 | 56VDC | |
에너지 | 49J | |
패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV20D680 P7321 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V20D680 | |
관련 링크 | ERZ-V2, ERZ-V20D680 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
ERA-8APB4221V | RES SMD 4.22K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB4221V.pdf | ||
TC124-FR-0712R7L | RES ARRAY 4 RES 12.7 OHM 0804 | TC124-FR-0712R7L.pdf | ||
LT4466 | LT4466 ORIGINAL SMD or Through Hole | LT4466.pdf | ||
NJM2880U1-25-TE1-#ZZZB | NJM2880U1-25-TE1-#ZZZB NJRC SMD or Through Hole | NJM2880U1-25-TE1-#ZZZB.pdf | ||
EPM7128EQC100-7/-15 | EPM7128EQC100-7/-15 ALTERA PQFP | EPM7128EQC100-7/-15.pdf | ||
IPSH4D286R8N-10 | IPSH4D286R8N-10 Laird SMD | IPSH4D286R8N-10.pdf | ||
J197 | J197 NEC SOT-89 | J197.pdf | ||
TDA9380PS/N2/2/0715 | TDA9380PS/N2/2/0715 PHI DIP | TDA9380PS/N2/2/0715.pdf | ||
U.FL-2LP(V)-04K1T-A60.5LG | U.FL-2LP(V)-04K1T-A60.5LG HIROSE 1KBOX | U.FL-2LP(V)-04K1T-A60.5LG.pdf | ||
TLE4264G | TLE4264G INFIN SOT223 | TLE4264G .pdf | ||
RAM-3 (PAT-3) | RAM-3 (PAT-3) MINI SO76 | RAM-3 (PAT-3).pdf |