창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V20D431 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V20D431 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 387V | |
배리스터 전압(통상) | 430V | |
배리스터 전압(최대) | 473V | |
전류 - 서지 | 10kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 275VAC | |
최대 DC 전압 | 350VDC | |
에너지 | 303J | |
패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV20D431 P7277 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V20D431 | |
관련 링크 | ERZ-V2, ERZ-V20D431 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
SIT8008AC-21-18E-25.000000E | OSC XO 1.8V 25MHZ | SIT8008AC-21-18E-25.000000E.pdf | ||
LPS0300H4R70JB | RES CHAS MNT 4.7 OHM 5% 300W | LPS0300H4R70JB.pdf | ||
TNPW12101M58BEEA | RES SMD 1.58M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101M58BEEA.pdf | ||
P51-300-G-Y-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-G-Y-M12-5V-000-000.pdf | ||
IPA057N06N3G | IPA057N06N3G Infineon TO-220F | IPA057N06N3G.pdf | ||
BQ641F | BQ641F ORIGINAL SMD or Through Hole | BQ641F.pdf | ||
P320DT70VI | P320DT70VI AMD BGA | P320DT70VI.pdf | ||
TNPW08056202BR75 | TNPW08056202BR75 VISHAY SMD | TNPW08056202BR75.pdf | ||
HS48-3W | HS48-3W HS SMD or Through Hole | HS48-3W.pdf | ||
HY51181648JC-60 | HY51181648JC-60 ORIGINAL SMD or Through Hole | HY51181648JC-60.pdf | ||
M29F040B-55K | M29F040B-55K STM PLCC | M29F040B-55K.pdf | ||
ECQP4153JU | ECQP4153JU PANASONIC DIP | ECQP4153JU.pdf |