창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V10D330 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V10D330 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2348 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 30V | |
배리스터 전압(통상) | 33V | |
배리스터 전압(최대) | 36V | |
전류 - 서지 | 1kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 20VAC | |
최대 DC 전압 | 26VDC | |
에너지 | 4.8J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV10D330 P7301 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V10D330 | |
관련 링크 | ERZ-V1, ERZ-V10D330 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM31CC70J226KE15L | 22µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7S 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31CC70J226KE15L.pdf | |
![]() | VJ0603D1R1CLAAP | 1.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R1CLAAP.pdf | |
293D105X5016A2TE3 | 1µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1206 (3216 Metric) 9.3 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | 293D105X5016A2TE3.pdf | ||
![]() | D780C2 | D780C2 NEC SMD or Through Hole | D780C2.pdf | |
![]() | RJ1206-1.2M | RJ1206-1.2M Uniohm 1206 | RJ1206-1.2M.pdf | |
![]() | LCN1206T-18NJ-S | LCN1206T-18NJ-S ORIGINAL SMD or Through Hole | LCN1206T-18NJ-S.pdf | |
![]() | 216MPA6BVA11FG | 216MPA6BVA11FG AMD BGA | 216MPA6BVA11FG.pdf | |
![]() | SMO-100A | SMO-100A DS PLCC-4 | SMO-100A.pdf | |
![]() | MB15F03PFV1EF | MB15F03PFV1EF FUJITSU SMD or Through Hole | MB15F03PFV1EF.pdf | |
![]() | S71PL129JBDBAW9 | S71PL129JBDBAW9 SPANSIO SMD or Through Hole | S71PL129JBDBAW9.pdf |