창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V07D151 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V07D151 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2348 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 135V | |
배리스터 전압(통상) | 150V | |
배리스터 전압(최대) | 165V | |
전류 - 서지 | 1.75kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 95VAC | |
최대 DC 전압 | 125VDC | |
에너지 | 13J | |
패키지/케이스 | 7mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | ERZV07D151 P7248 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V07D151 | |
관련 링크 | ERZ-V0, ERZ-V07D151 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
BZW04-40BHE3/54 | TVS DIODE 40.2VWM DO204AL | BZW04-40BHE3/54.pdf | ||
ISL9R460PF2 | DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC | ISL9R460PF2.pdf | ||
IXFK150N10 | MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA | IXFK150N10.pdf | ||
AT29C02012PC | AT29C02012PC AT SMD or Through Hole | AT29C02012PC.pdf | ||
ADS1212PE4 | ADS1212PE4 TI ADS1212P | ADS1212PE4.pdf | ||
30R510A-2CL | 30R510A-2CL SSI SOP18W | 30R510A-2CL.pdf | ||
MT29F64G08CFAAA | MT29F64G08CFAAA MICRON TSOP | MT29F64G08CFAAA.pdf | ||
M5M51008DFP-55HT00T | M5M51008DFP-55HT00T ORIGINAL SMD or Through Hole | M5M51008DFP-55HT00T.pdf | ||
CC50V3.6PF | CC50V3.6PF STTH SMD or Through Hole | CC50V3.6PF.pdf | ||
X28C16DI-35 | X28C16DI-35 XICOR CDIP24 | X28C16DI-35.pdf | ||
ERJ14BQFR33U | ERJ14BQFR33U PA SMD or Through Hole | ERJ14BQFR33U.pdf |