창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E10A102CS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet ERZ-E10 New Prod Intro | |
주요제품 | Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 900V | |
배리스터 전압(통상) | 1000V(1kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 서지 | 4.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 625VAC | |
최대 DC 전압 | 825VDC | |
에너지 | 182J | |
패키지/케이스 | 12.50mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ERZE10A102CS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E10A102CS | |
관련 링크 | ERZ-E10, ERZ-E10A102CS 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
416F40025AKR | 40MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40025AKR.pdf | ||
LTE-C1906R-14 | Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 60mA 2.5mW/sr @ 40mA 130° 0603 (1608 Metric) | LTE-C1906R-14.pdf | ||
BRHL2518T1R5M | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 110.5 mOhm Max 1007 (2518 Metric) | BRHL2518T1R5M.pdf | ||
MCR18ERTF3323 | RES SMD 332K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF3323.pdf | ||
BMS-873R 48.0M | BMS-873R 48.0M COBUY PBF | BMS-873R 48.0M.pdf | ||
CX704B | CX704B MIC TO-220 | CX704B.pdf | ||
06K8536PQ | 06K8536PQ IBM BGA | 06K8536PQ.pdf | ||
UPG8102T-E3 | UPG8102T-E3 NEC SOT23-6 | UPG8102T-E3.pdf | ||
IBM9898PQ | IBM9898PQ IBM SMD or Through Hole | IBM9898PQ.pdf | ||
CA91L8200-100C | CA91L8200-100C TUNRA BGA | CA91L8200-100C.pdf | ||
PS2D11-150MT | PS2D11-150MT ORIGINAL SMD | PS2D11-150MT.pdf | ||
MA4L011-30 | MA4L011-30 M/A-COM SMD or Through Hole | MA4L011-30.pdf |