창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC8007ENGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC8007 Preliminary Datasheet eGaN® FET Brief | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 500mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 39pF @ 20V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC8007ENGR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC8007ENGR | |
관련 링크 | EPC800, EPC8007ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
02013A120JAT2A | 12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 02013A120JAT2A.pdf | ||
C0603C561M4GACTU | 560pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C561M4GACTU.pdf | ||
UP050F223Z-NACZ | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 F 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050F223Z-NACZ.pdf | ||
1N914B-TP | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 1N914B-TP.pdf | ||
BAS40-215 | BAS40-215 NXP SOT23 | BAS40-215.pdf | ||
EVQPLHA15 | EVQPLHA15 NEC SMD or Through Hole | EVQPLHA15.pdf | ||
BU1706A(ON4939) | BU1706A(ON4939) PHILIPS SMD or Through Hole | BU1706A(ON4939).pdf | ||
SP3485CN-TR | SP3485CN-TR SIPEX SOP8 | SP3485CN-TR.pdf | ||
SKKT9116E | SKKT9116E ORIGINAL SMD or Through Hole | SKKT9116E.pdf | ||
HD64F3660A64FP | HD64F3660A64FP ORIGINAL QFP | HD64F3660A64FP.pdf | ||
MAX4832ETT28C | MAX4832ETT28C MAX SMD or Through Hole | MAX4832ETT28C.pdf | ||
KBPC2514S | KBPC2514S NSC NULL | KBPC2514S.pdf |