창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC8004 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC8004 Datasheet eGaN® FET Brief | |
| 애플리케이션 노트 | eGaN FETs for Multi-Megahertz Hard Switching Applications Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 500mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.45nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 52pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 917-1072-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC8004 | |
| 관련 링크 | EPC8, EPC8004 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | 601D957G040HL1 | 950µF 40V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 601D957G040HL1.pdf | |
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![]() | SXE16VB1200MK20 | SXE16VB1200MK20 NIPPON DIP | SXE16VB1200MK20.pdf | |
![]() | VTD206H | VTD206H perkinelmer DIP-2TO46 | VTD206H.pdf | |
![]() | 2SA1242--251 | 2SA1242--251 TOSHIBA TO-251 | 2SA1242--251.pdf | |
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![]() | TDA4916GGT-R | TDA4916GGT-R SIEM SMD or Through Hole | TDA4916GGT-R.pdf | |
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![]() | PMH5718TP/SR | PMH5718TP/SR ERICSSON SMD or Through Hole | PMH5718TP/SR.pdf | |
![]() | BZX55C19 | BZX55C19 ORIGINAL SMD or Through Hole | BZX55C19.pdf | |
![]() | TP0740 | TP0740 N/A SMD or Through Hole | TP0740.pdf |