EPC EPC2108ENGRT
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EPC2108ENGRT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2108ENGRT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2108 Preliminary Datasheet | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 3개 N 채널(하프브리지 + 동기식 부트스트랩) | |
| FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V, 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 2.5A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.22nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 22pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 917-EPC2108ENGRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2108ENGRT | |
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