창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2106ENGRT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2106 Preliminary | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 2A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 600µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0,73nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 75pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-EPC2106ENGRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2106ENGRT | |
| 관련 링크 | EPC2106, EPC2106ENGRT 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | 0242.250HAT1 | FUSE CRTRDGE 250MA 250VAC/DC AXL | 0242.250HAT1.pdf | |
![]() | AF0402DR-0748K7L | RES SMD 48.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AF0402DR-0748K7L.pdf | |
![]() | Y40238K98000Q0R | RES SMD 8.98KOHM 0.02% 0.3W 1206 | Y40238K98000Q0R.pdf | |
![]() | 6pF (TZV02Z060A110) | 6pF (TZV02Z060A110) INFNEON SMD or Through Hole | 6pF (TZV02Z060A110).pdf | |
![]() | MAX274BCNG | MAX274BCNG MAX DIP 24 | MAX274BCNG.pdf | |
![]() | TMS28F400AF | TMS28F400AF TMS SOP | TMS28F400AF.pdf | |
![]() | C1005C0G1E680JT000P | C1005C0G1E680JT000P TDK SMD or Through Hole | C1005C0G1E680JT000P.pdf | |
![]() | SI4952DY | SI4952DY VISHAY SOP-8 | SI4952DY.pdf | |
![]() | P0641SACRP | P0641SACRP ORIGINAL SMD or Through Hole | P0641SACRP.pdf | |
![]() | LF347MXNOPB | LF347MXNOPB NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | LF347MXNOPB.pdf | |
![]() | VG3664164IDT-6 | VG3664164IDT-6 ORIGINAL TSOP | VG3664164IDT-6.pdf |