창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2105ENG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2105 Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | GaN Integration for Higher DC-DC Efficiency and Power Density | |
제품 교육 모듈 | eGaN® Integrated GaN Power | |
주요제품 | EPC - EPC9037/EPC9041 Development Boards | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 20A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 40V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2105ENG | |
관련 링크 | EPC210, EPC2105ENG 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | NTP5860NG | MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3 | NTP5860NG.pdf | |
![]() | 60EPF02/60EPF04/60EPF06 | 60EPF02/60EPF04/60EPF06 IR SMD or Through Hole | 60EPF02/60EPF04/60EPF06.pdf | |
![]() | RD10FM(D1)-T1-AZ | RD10FM(D1)-T1-AZ NEC 1808 | RD10FM(D1)-T1-AZ.pdf | |
![]() | WAC-021-C-X | WAC-021-C-X PMC SMD or Through Hole | WAC-021-C-X.pdf | |
![]() | CA741T/3 | CA741T/3 HAR CAN8 | CA741T/3.pdf | |
![]() | LTC3208EUH#PBF | LTC3208EUH#PBF LT QFN | LTC3208EUH#PBF.pdf | |
![]() | MX23L1613TI90 | MX23L1613TI90 mx SMD or Through Hole | MX23L1613TI90.pdf | |
![]() | BYQ28EF-200-TR | BYQ28EF-200-TR GS SMD or Through Hole | BYQ28EF-200-TR.pdf | |
![]() | DG408CY+ | DG408CY+ Maxim SMD or Through Hole | DG408CY+.pdf | |
![]() | NTB5605P | NTB5605P ON TO-263 | NTB5605P.pdf | |
![]() | RTXM155B | RTXM155B ORIGINAL DIP | RTXM155B.pdf | |
![]() | RT9285CGQQX | RT9285CGQQX RICHTEK XDFN8P22mm | RT9285CGQQX.pdf |