창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2104ENG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2104 Datasheet Preliminary | |
제품 교육 모듈 | eGaN® Integrated GaN Power | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 20A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 5.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2104ENG EPC2104ENGRH4 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2104ENG | |
관련 링크 | EPC210, EPC2104ENG 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | 517D226M100BB6AE3 | 22µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 517D226M100BB6AE3.pdf | |
![]() | BZT52C75-G3-08 | DIODE ZENER 75V 410MW SOD123 | BZT52C75-G3-08.pdf | |
![]() | SCIHP0735-100M | 10µH Shielded Inductor 3A 105 mOhm Max Nonstandard | SCIHP0735-100M.pdf | |
![]() | 88E6096-TTAH1 | 88E6096-TTAH1 M TQFP | 88E6096-TTAH1.pdf | |
![]() | NTZ1660FG-00006 | NTZ1660FG-00006 NQVATEK SMD or Through Hole | NTZ1660FG-00006.pdf | |
![]() | LXFH50N20 | LXFH50N20 ORIGINAL SMD or Through Hole | LXFH50N20.pdf | |
![]() | TC017-PSH11-CT-A | TC017-PSH11-CT-A TOSHIBA SMD | TC017-PSH11-CT-A.pdf | |
![]() | XC3164APQ144-2C | XC3164APQ144-2C XILINH QFP | XC3164APQ144-2C.pdf | |
![]() | K273K15X7RF5H5 | K273K15X7RF5H5 VISHAY DIP | K273K15X7RF5H5.pdf | |
![]() | LP2975IMM-3.3TR | LP2975IMM-3.3TR NS SMD or Through Hole | LP2975IMM-3.3TR.pdf | |
![]() | X95840WV20IZ-2N/A7T1 | X95840WV20IZ-2N/A7T1 INTERSIL SMD or Through Hole | X95840WV20IZ-2N/A7T1.pdf | |
![]() | C8051F300-76 | C8051F300-76 SILICON SMD or Through Hole | C8051F300-76.pdf |