창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2037ENGR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2037 Preliminary Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 100mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 80µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.12nC @ 5V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12.5pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-EPC2037ENGRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2037ENGR | |
| 관련 링크 | EPC203, EPC2037ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | IRLZ34NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK | IRLZ34NSTRLPBF.pdf | |
![]() | 105CH681J25AT 0603-681J | 105CH681J25AT 0603-681J KYOCERA SMD or Through Hole | 105CH681J25AT 0603-681J.pdf | |
![]() | TC4538 | TC4538 TELCOM DIP8 | TC4538.pdf | |
![]() | U6792BEFP | U6792BEFP tfk SMD or Through Hole | U6792BEFP.pdf | |
![]() | TK63118H-G | TK63118H-G TOKO SOT363 | TK63118H-G.pdf | |
![]() | BDT60.62.64 | BDT60.62.64 STM TO-220 | BDT60.62.64.pdf | |
![]() | AT25DF321A-SU | AT25DF321A-SU Atmel TSOP | AT25DF321A-SU.pdf | |
![]() | MSM6050-CP90-V3185 | MSM6050-CP90-V3185 QUALCOMM SMD or Through Hole | MSM6050-CP90-V3185.pdf | |
![]() | TLP100 | TLP100 TOSHIBA SOP4 | TLP100.pdf | |
![]() | C4-K2.5L390M | C4-K2.5L390M ORIGINAL SMD or Through Hole | C4-K2.5L390M.pdf | |
![]() | P556168NESC6GSIREVA/KM44V1 | P556168NESC6GSIREVA/KM44V1 SAM DIMM | P556168NESC6GSIREVA/KM44V1.pdf |