창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2035 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2035 EPC2035,36 Product Highlight | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 주요제품 | EPC - GaN Performance at MOSFET Value | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 1A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 800µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.15nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 115pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-1099-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2035 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2035 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-HC735-140 | 140MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | FXO-HC735-140.pdf | |
![]() | HS150 500R J | RES CHAS MNT 500 OHM 5% 150W | HS150 500R J.pdf | |
![]() | AF0805FR-077K5L | RES SMD 7.5K OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-077K5L.pdf | |
![]() | CPF0201D287RE1 | RES SMD 287 OHM 0.5% 1/32W 0201 | CPF0201D287RE1.pdf | |
![]() | B57891M1473K | NTC Thermistor 47k Disc, 3.5mm Dia x 3.5mm W | B57891M1473K.pdf | |
![]() | HW-102A/D | HW-102A/D ASAHIKASE SMD-4 | HW-102A/D.pdf | |
![]() | U1931A1 | U1931A1 INFINEON SOP36 | U1931A1.pdf | |
![]() | TLP631.GB | TLP631.GB TOSHIBA DIP | TLP631.GB.pdf | |
![]() | NL201614T-120M-N | NL201614T-120M-N YAGEO SMD | NL201614T-120M-N.pdf | |
![]() | GLT41601616-50J4 | GLT41601616-50J4 ORIGINAL SMD or Through Hole | GLT41601616-50J4.pdf | |
![]() | L4N5 | L4N5 Teccor SMB-3 | L4N5.pdf | |
![]() | MD8212/BC | MD8212/BC INTEL DIP | MD8212/BC.pdf |