창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2035 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2035 EPC2035,36 Product Highlight | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC - GaN Performance at MOSFET Value | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 1A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 800µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.15nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 115pF @ 30V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 917-1099-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2035 | |
관련 링크 | EPC2, EPC2035 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
2SD2150T100S | TRANS NPN 20V 3A SOT-89 | 2SD2150T100S.pdf | ||
G6K-2G-TR DC24 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6K-2G-TR DC24.pdf | ||
CRCW0603113KFKEC | RES SMD 113K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603113KFKEC.pdf | ||
RCS08059K10FKEA | RES SMD 9.1K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08059K10FKEA.pdf | ||
UPA2703L/K | UPA2703L/K NEC SOP4 | UPA2703L/K.pdf | ||
USB2223-NE-01 | USB2223-NE-01 SMSC SMD or Through Hole | USB2223-NE-01.pdf | ||
5082-3080#T50 | 5082-3080#T50 AVAGO SMD or Through Hole | 5082-3080#T50.pdf | ||
4S1124LF | 4S1124LF BOTHHAND SMD or Through Hole | 4S1124LF.pdf | ||
IMP811MEUS NOPB | IMP811MEUS NOPB IMP SOT143 | IMP811MEUS NOPB.pdf | ||
X5165S8IZ2.7 | X5165S8IZ2.7 Intersil SMD or Through Hole | X5165S8IZ2.7.pdf | ||
JFETNC1 | JFETNC1 PHI TSSOP | JFETNC1.pdf | ||
2SC5191-T1-A | 2SC5191-T1-A NEC SOT23 | 2SC5191-T1-A.pdf |