창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2033ENGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2033 Datasheet Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1140pF @ 75V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2033ENGR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2033ENGR | |
관련 링크 | EPC203, EPC2033ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | MKP383439200JPP2T0 | 0.39µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) | MKP383439200JPP2T0.pdf | |
![]() | 1.5KE22AHE3/73 | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC 1.5KE | 1.5KE22AHE3/73.pdf | |
![]() | FN332Z-3-05 | FLTR 1PH COMPACT 3A W/SURGE PROT | FN332Z-3-05.pdf | |
![]() | 4379R-222KS | 2.2µH Shielded Inductor 400mA 300 mOhm Max 2-SMD | 4379R-222KS.pdf | |
![]() | CMF5542R200FHR6 | RES 42.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5542R200FHR6.pdf | |
![]() | ADF7021BCPZ | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 80MHz ~ 650MHz, 862MHz ~ 950MHz 48-VFQFN Exposed Pad, CSP | ADF7021BCPZ.pdf | |
![]() | IMP1812R-15/T | IMP1812R-15/T IMP SOT23 | IMP1812R-15/T.pdf | |
![]() | SA25322APA | SA25322APA PHILTPS DIP42 | SA25322APA.pdf | |
![]() | Q-LIP-35(61)-0.3-02Q | Q-LIP-35(61)-0.3-02Q QMS SMD or Through Hole | Q-LIP-35(61)-0.3-02Q.pdf | |
![]() | MU011 | MU011 TI TSOP16 | MU011.pdf | |
![]() | CY7C199-20 | CY7C199-20 CYPRESS DIP | CY7C199-20.pdf |