창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2031ENGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2031 Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC2030/31/32 eGaN FET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 30A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 15mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 300V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2031ENGR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2031ENGR | |
관련 링크 | EPC203, EPC2031ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
636L3C010M00000 | 10MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 16mA Enable/Disable | 636L3C010M00000.pdf | ||
SMUN5213T1G | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | SMUN5213T1G.pdf | ||
FB5S035JA1R2000 | FB5S035JA1R2000 JAE SMD or Through Hole | FB5S035JA1R2000.pdf | ||
PM25LD010 | PM25LD010 PMC SMD or Through Hole | PM25LD010.pdf | ||
GT-L75DC08-PD-AB | GT-L75DC08-PD-AB ORIGINAL BGA | GT-L75DC08-PD-AB.pdf | ||
AT24LC64-PI | AT24LC64-PI ATMEL DIP | AT24LC64-PI.pdf | ||
KZG10VB102M8X15LL 1000*0.3 | KZG10VB102M8X15LL 1000*0.3 ORIGINAL DIP | KZG10VB102M8X15LL 1000*0.3.pdf | ||
AT90S4414-4AI | AT90S4414-4AI ATMEL QFP44 | AT90S4414-4AI.pdf | ||
PIC24C01A/P | PIC24C01A/P MICROCHIP DIP8 | PIC24C01A/P.pdf | ||
MAX693AEJE | MAX693AEJE ORIGINAL DIP-16L | MAX693AEJE.pdf | ||
LTC1504ACS8PBF | LTC1504ACS8PBF LTC SMD or Through Hole | LTC1504ACS8PBF.pdf | ||
K7D323674C-HC33 | K7D323674C-HC33 SAMSUNG BGA | K7D323674C-HC33.pdf |