창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2029 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2029 Preliminary Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 12mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1410pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 917-1107-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2029 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2029 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805FRE07196RL | RES SMD 196 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE07196RL.pdf | |
![]() | CMF551M0000JKEA | RES 1M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF551M0000JKEA.pdf | |
![]() | F2A5R2HD00-A | F2A5R2HD00-A ORIGINAL SMD or Through Hole | F2A5R2HD00-A.pdf | |
![]() | THN5702B | THN5702B ORIGINAL SOT-89 | THN5702B.pdf | |
![]() | AD9981KSTZ-2006+ | AD9981KSTZ-2006+ ADI SMD or Through Hole | AD9981KSTZ-2006+.pdf | |
![]() | GS71116 | GS71116 GS TSOP | GS71116.pdf | |
![]() | 48IMO6-15-2 | 48IMO6-15-2 MELCHER SMD or Through Hole | 48IMO6-15-2.pdf | |
![]() | BSP452T1R | BSP452T1R INF SOT-223 | BSP452T1R.pdf | |
![]() | BD8961 | BD8961 ROHM DIPSOP | BD8961.pdf | |
![]() | SRG10VB221M8X7LL | SRG10VB221M8X7LL UnitedCHEMI-CON DIP-2 | SRG10VB221M8X7LL.pdf | |
![]() | V54C3256164VBT6PC | V54C3256164VBT6PC MOSEL TSOP54 | V54C3256164VBT6PC.pdf | |
![]() | CLA3561A | CLA3561A PHI DIP | CLA3561A.pdf |