창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2018 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2018 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 주요제품 | EPC2018 150 V eGaN® FET | |
| PCN 조립/원산지 | EPC2yyy Family Process Change 14/Dec/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 917-1034-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2018 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2018 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385333025JB02G0 | 0.033µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385333025JB02G0.pdf | |
![]() | MP6-3D-1L-1Q-0M | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-3D-1L-1Q-0M.pdf | |
![]() | E34521BE-2000 | E34521BE-2000 IC 40 DIP | E34521BE-2000.pdf | |
![]() | ME3101A18M5 | ME3101A18M5 ME SMD or Through Hole | ME3101A18M5.pdf | |
![]() | 4V33UFP | 4V33UFP NEC P | 4V33UFP.pdf | |
![]() | R8830D-G | R8830D-G RDC QFP100 | R8830D-G.pdf | |
![]() | HA4404BCBZ96 | HA4404BCBZ96 INTERSIL SOP16 | HA4404BCBZ96.pdf | |
![]() | BYX39-900R | BYX39-900R PHILIPS SMD or Through Hole | BYX39-900R.pdf | |
![]() | 24C01-W6 | 24C01-W6 ST DIP-8 | 24C01-W6.pdf | |
![]() | GI7906A | GI7906A GTM TO-251 | GI7906A.pdf | |
![]() | AMFRB6009+ | AMFRB6009+ ALPHA S N | AMFRB6009+.pdf | |
![]() | F10UP20S | F10UP20S FSC TO-220F2 | F10UP20S.pdf |