창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2014C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2014C | |
| 주요제품 | EPC Low Voltage eGaN® FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 10A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 아웃라인(5-솔더 바) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 917-1082-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2014C | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2014C 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | LP200F33CDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP200F33CDT.pdf | |
![]() | CMF7010K000FHEB | RES 10K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF7010K000FHEB.pdf | |
![]() | QSC6065 | QSC6065 QUALCOMM BGA | QSC6065.pdf | |
![]() | 8C5H30 | 8C5H30 ST SOP8 | 8C5H30.pdf | |
![]() | F6418531 | F6418531 ORIGINAL SMD or Through Hole | F6418531.pdf | |
![]() | CCM-70/CCM-100/CCM-150 | CCM-70/CCM-100/CCM-150 CGN SMD or Through Hole | CCM-70/CCM-100/CCM-150.pdf | |
![]() | MC53-0357 | MC53-0357 ORIGINAL CAN | MC53-0357.pdf | |
![]() | EHB0010A1MA-7E-E | EHB0010A1MA-7E-E ELPIDA BGA | EHB0010A1MA-7E-E.pdf | |
![]() | MAX6362HUT44-T | MAX6362HUT44-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6362HUT44-T.pdf | |
![]() | M66230FP200D (MITSUBISHI) | M66230FP200D (MITSUBISHI) MITSUBISHI SMD or Through Hole | M66230FP200D (MITSUBISHI).pdf | |
![]() | PPC750L-GB400AZ | PPC750L-GB400AZ MOTOROLA BGA | PPC750L-GB400AZ.pdf |