EPC EPC2012C
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EPC2012C 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2012C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2012C Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 주요제품 | EPC Low Voltage eGaN® FETs EPC9052/53/54 Development Boards | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 3A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.3nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 아웃라인(4-솔더 바) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-1084-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2012C | |
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