창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EP1S20B672C6N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EP1S20B672C6N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA672 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EP1S20B672C6N | |
| 관련 링크 | EP1S20B, EP1S20B672C6N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1840422255M | 0.22µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP1840422255M.pdf | |
| ASEMDLP-LR-T3 | 100MHz, 106.25MHz, 125MHz, 156.25MHz, 400MHz LVPECL MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 14-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V 89mA (Typ) Enable/Disable | ASEMDLP-LR-T3.pdf | ||
![]() | BZV90-C27,115 | DIODE ZENER 27V 1.5W SC73 | BZV90-C27,115.pdf | |
![]() | IRFR4104TRLPBF | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | IRFR4104TRLPBF.pdf | |
![]() | MHQ0603P1N4BT000 | 1.4nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 100 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P1N4BT000.pdf | |
![]() | PE1206FRM470R005L | RES SMD 0.005 OHM 1% 1W 1206 | PE1206FRM470R005L.pdf | |
![]() | RSF2FB42R2 | RES MO 2W 42.2 OHM 1% AXIAL | RSF2FB42R2.pdf | |
![]() | GK03N70 | GK03N70 GTM TO-220FP | GK03N70.pdf | |
![]() | S1D2507B01-A0B0 | S1D2507B01-A0B0 SAMSUNG DIP | S1D2507B01-A0B0.pdf | |
![]() | 74LVC1G125DGKR | 74LVC1G125DGKR TI SOT23 | 74LVC1G125DGKR.pdf | |
![]() | FW82830MP QC81ES | FW82830MP QC81ES Intel BGA | FW82830MP QC81ES.pdf | |
![]() | SIS651BO | SIS651BO SIS BGA | SIS651BO.pdf |