창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EP10K30ABC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EP10K30ABC | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EP10K30ABC | |
| 관련 링크 | EP10K3, EP10K30ABC 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | AQ12EM0R3BAJWE | 0.30pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM0R3BAJWE.pdf | |
![]() | B82477G4334M | 330µH Shielded Wirewound Inductor 950mA 600 mOhm Max Nonstandard | B82477G4334M.pdf | |
![]() | SCRH123-101 | 100µH Shielded Inductor 1.1A 480 mOhm Max Nonstandard | SCRH123-101.pdf | |
![]() | L12J47K | RES CHAS MNT 47K OHM 5% 12W | L12J47K.pdf | |
![]() | T5530N | T5530N MORNSUN SMD or Through Hole | T5530N.pdf | |
![]() | 231923-5610 | 231923-5610 FUJITSU QFP | 231923-5610.pdf | |
![]() | M28F231-100N1 | M28F231-100N1 MEMORY SMD | M28F231-100N1.pdf | |
![]() | APL5509 | APL5509 ORIGINAL SMD or Through Hole | APL5509.pdf | |
![]() | MB3771PFGBNDHNER | MB3771PFGBNDHNER FUJITSU SMD or Through Hole | MB3771PFGBNDHNER.pdf | |
![]() | HY3032 | HY3032 HYGD DIP-4 | HY3032.pdf | |
![]() | GWIXP465BADT | GWIXP465BADT INTEL AYBGA | GWIXP465BADT.pdf | |
![]() | 420KXW33M10X40 | 420KXW33M10X40 RUBYCON DIP | 420KXW33M10X40.pdf |