창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ENWC9A09N4EF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ENWC9A09N4EF | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ENWC9A09N4EF | |
| 관련 링크 | ENWC9A0, ENWC9A09N4EF 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F36033ADR | 36MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36033ADR.pdf | |
![]() | ASTMHTE-27.000MHZ-AR-E-T | 27MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-27.000MHZ-AR-E-T.pdf | |
![]() | RL181S-103J-RC | 10mH Shielded Wirewound Inductor 25mA 12.1 Ohm Max Radial | RL181S-103J-RC.pdf | |
![]() | GDZ10B-GS08 | GDZ10B-GS08 VISHAY SMD or Through Hole | GDZ10B-GS08.pdf | |
![]() | HD6473258C8 | HD6473258C8 HITACHI DIP | HD6473258C8.pdf | |
![]() | 1815GR | 1815GR ORIGINAL TO92 | 1815GR.pdf | |
![]() | UPC574 | UPC574 NEC TO-92 | UPC574.pdf | |
![]() | C17CF0R1B7UXLT | C17CF0R1B7UXLT DLI SMD | C17CF0R1B7UXLT.pdf | |
![]() | T356C156M006AS | T356C156M006AS KEMET DIP | T356C156M006AS.pdf | |
![]() | G12KB | G12KB TYCO/WSI SMD or Through Hole | G12KB.pdf | |
![]() | DCH0805330J | DCH0805330J HITACHI SMD or Through Hole | DCH0805330J.pdf | |
![]() | KM4848V2100BS-L7 | KM4848V2100BS-L7 SAMSUNG TSOP | KM4848V2100BS-L7.pdf |