창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EMVA6R3ADA470MD55G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MVA Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1991 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | United Chemi-Con | |
| 계열 | Alchip™- MVA | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 47µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 6.3V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 33mA | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 0.157" Dia(4.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.205"(5.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | 0.169" L x 0.169" W(4.30mm x 4.30mm) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 565-2056-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EMVA6R3ADA470MD55G | |
| 관련 링크 | EMVA6R3ADA, EMVA6R3ADA470MD55G 데이터 시트, United Chemi-Con 에이전트 유통 | |
![]() | 12061C272JAT4A | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061C272JAT4A.pdf | |
![]() | 3269W-ES2-203 | 20k Ohm 0.25W, 1/4W Gull Wing Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 12 Turn Top Adjustment | 3269W-ES2-203.pdf | |
![]() | SRR6028-100Y | 10µH Shielded Wirewound Inductor 2A 65 mOhm Max Nonstandard | SRR6028-100Y.pdf | |
![]() | 35211K0FT | RES SMD 1K OHM 1% 2W 2512 | 35211K0FT.pdf | |
![]() | ATI9200(216QP4DBA12PH) | ATI9200(216QP4DBA12PH) ATI BGA | ATI9200(216QP4DBA12PH).pdf | |
![]() | MOC211R2 | MOC211R2 MOTOROLA SO-8 | MOC211R2.pdf | |
![]() | H15NA50FI | H15NA50FI ST TO-3P | H15NA50FI.pdf | |
![]() | G6N3 | G6N3 EDAL SMD or Through Hole | G6N3.pdf | |
![]() | ESD7Z12 | ESD7Z12 formosams SOD-523 | ESD7Z12.pdf | |
![]() | 15FX-RSM1-S-TB(LF)(SN) | 15FX-RSM1-S-TB(LF)(SN) JST 15P | 15FX-RSM1-S-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | STK488-010E | STK488-010E SANYO HYB | STK488-010E.pdf | |
![]() | TDSO5150M | TDSO5150M vishay INSTOCKPACK40tu | TDSO5150M.pdf |